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型号 IPW65R660CFD
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 700V 6.0A TO247
IPW65R660CFD PDF
代理商 IPW65R660CFD
标准包装 240
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 700V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 660 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4.5V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 615pF @ 100V
功率 - 最大 62.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 PG-TO247-3
包装 管件
其它名称 IPW65R660CFDFKSA1
SP000861700
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